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单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

辛艳辉 刘红侠 范小娇 卓青青

单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-24
  • 修回日期:  2012-12-17
  • 刊出日期:  2013-05-05

单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976068, 61076097)和教育部博士点基金资助项目(批准号: 20110203110012)资助的课题.

摘要: 为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 的短沟道效应(SCE)、 漏致势垒降低(DIBL) 效应, 提高电流的驱动能力, 提出了单Halo 全耗尽应变硅绝缘体 (SOI) MOSFET 结构, 该结构结合了应变Si, 峰值掺杂Halo结构, SOI 三者的优点. 通过求解二维泊松方程, 建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型. 模型中分析了弛豫层中的Ge组分对表面势、表面场强和阈值电压的影响, 不同漏电压对表面势的影响, Halo 掺杂对阈值电压和DIBL的影响.结果表明, 该新结构能够抑制SCE和DIBL效应, 提高载流子的输运效率.

English Abstract

参考文献 (12)

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