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亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

王冠宇 张鹤鸣 王晓艳 吴铁峰 王斌

亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

王冠宇, 张鹤鸣, 王晓艳, 吴铁峰, 王斌
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  • 本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100 nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100 nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考.
    • 基金项目: 国家部委资助项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题. # Email:SiGeBiCMOS@foxmail.com
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-29
  • 修回日期:  2010-10-19
  • 刊出日期:  2011-07-15

亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委资助项目(批准号:51308040203, 6139801),中央高校基本科研业务费(批准号:72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题. # Email:SiGeBiCMOS@foxmail.com

摘要: 本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100 nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100 nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考.

English Abstract

参考文献 (20)

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