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新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型

李妤晨 张鹤鸣 张玉明 胡辉勇 徐小波 秦珊珊 王冠宇

新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型

李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 徐小波, 秦珊珊, 王冠宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-22
  • 修回日期:  2011-06-21
  • 刊出日期:  2012-02-05

新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家部委资助项目(批准号: 51308040203, 6139801), 中央高校基本科研业务费(批准号: 72105499, 72104089)和陕西省自然科学基础研究计划资助项目(批准号: 2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 本文在研究IMOS器件结构的基础上, 分析了该器件不同区域的表面电场, 结合雪崩击穿条件, 建立了P-IMOS的阈值电压解析模型. 应用MATLAB对该器件阈值电压模型与源漏电压、栅长和硅层厚度的关系进行了数值分析, 并用二维器件仿真工具ISE进行了验证. 结果表明, 源电压越大, 阈值电压值越小; 栅长所占比例越大, 阈值电压值越小, 硅层厚度越小, 阈值电压值越小. 本文提出的模型与ISE仿真结果一致, 也与文献报道符合. 这种新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型的建立为该高性能器件及对应电路的设计、仿真和制造提供了重要的参考.

English Abstract

参考文献 (17)

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