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GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-24
  • 刊出日期:  2005-07-03

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金与中国科学院重大项目经费资助的课题

摘要: 本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一

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