搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

王瑞敏 陈光德

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

王瑞敏, 陈光德
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3313
  • PDF下载量:  711
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-26
  • 修回日期:  2008-08-21
  • 刊出日期:  2009-02-20

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

  • 1. 西安交通大学理学院大学物理部,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10474078)和陕西省自然科学基金(批准号:2004A01)资助的课题.

摘要: 利用325nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回