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N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

任红霞 郝 跃 许冬岗

N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

任红霞, 郝 跃, 许冬岗
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-07-25
  • 修回日期:  2000-01-09
  • 刊出日期:  2000-07-20

N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    高等学校博士学科点专项基金(批准号:8070110)资助项目.

摘要: 用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流 子特性及其对器件性能所造成的损伤,并与相应常规平面器件进行了比较,同时用器件内部 物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流 子效应有明显的抑制作用,但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.

English Abstract

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