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磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响

黄维清 陈克求 帅志刚 王玲玲 胡望宇

磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响

黄维清, 陈克求, 帅志刚, 王玲玲, 胡望宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-11-13
  • 修回日期:  2003-12-09
  • 刊出日期:  2004-07-15

磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响

  • 1. (1)湖南大学应用物理系,长沙 410082; (2)湖南大学应用物理系,长沙 410082;中国科学院化学研究所有机固体重点实验室,北京 10008; (3)中国科学院化学研究所有机固体重点实验室,北京 10008
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90203015)资助的课题.

摘要: 在有效质量近似理论下,采用有效垒高方法,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无限半导体超晶格中表面电子态的影响.当考虑超晶格中阱层和垒层之间电子有效质量的差别时,沿超晶格生长方向的磁场将导致磁耦合效应的出现.研究结果表明,磁耦合效应不仅引起表面电子能级的量子化,而且表面电子能级的大小及其在表面附近的局域程度也依赖于磁场的大小和朗道指数.此外,研究表明布洛赫波数的虚部可以作为一个衡量表面电子态局域程度的物理量.

English Abstract

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