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非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型

李泽宏 李肇基 张 波 方 健

非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型

李泽宏, 李肇基, 张 波, 方 健
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-27
  • 修回日期:  2003-05-25
  • 刊出日期:  2004-01-05

非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型

  • 1. 电子科技大学微电子研究所,成都 610054
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19972010)资助的课题.

摘要: 提出非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型.借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式,其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值,其值和文献[2,3]实验数据一致.

English Abstract

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