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电子束光刻的邻近效应及其模拟

孙 霞 尤四方 肖 沛 丁泽军

电子束光刻的邻近效应及其模拟

孙 霞, 尤四方, 肖 沛, 丁泽军
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-14
  • 修回日期:  2005-03-08
  • 刊出日期:  2006-01-20

电子束光刻的邻近效应及其模拟

  • 1. 中国科学技术大学,结构分析重点实验室,物理系,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60306006,10025420,90206009)资助的课题.

摘要: 用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素——邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.

English Abstract

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