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单壁碳纳米管微分电导在高压和强磁场下的实验研究

朱宏伟 刘 峰 吴德海 蔡建臻 吕 力

单壁碳纳米管微分电导在高压和强磁场下的实验研究

朱宏伟, 刘 峰, 吴德海, 蔡建臻, 吕 力
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-30
  • 修回日期:  2006-07-17
  • 刊出日期:  2006-12-20

单壁碳纳米管微分电导在高压和强磁场下的实验研究

  • 1. (1)Department of Electrical and Computer Engineering and Center for Computation and Technology,Louisiana State University,Baton Rouge 70803,USA; (2)Department of Materials Science and Engineering,University of Utah,Salt Lake City 84112,USA; (3)清华大学机械工程系,北京 100084; (4)中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10374108)、中国科学院知识创新工程和国家纳米科学中心资助的课题.

摘要: 单壁碳纳米管在高压下会发生结构相变,导致金属型的碳纳米管变成半导体.相变后碳纳米管中电子的库仑关联的表现形式发生变化,从Luttinger liquid行为转变成环境量子涨落行为.同时,相变后电子波函数的相位关联导致弱局域化行为的出现.为了研究库仑关联和相位关联之间是否有相互影响,使用金刚石对顶砧和液压自锁高压包在0—10 GPa准静压范围内测量了单层碳纳米管样品在低温和不同磁场下的微分电导随偏压的依赖关系.实验结果表明,相位关联和库仑关联是两种独立的效应,各自影响着电子的输运行为.

English Abstract

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