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高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

王瑜玉 赵永涛 肖国青 房 燕 张小安 王铁山 王释伟 彭海波

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

王瑜玉, 赵永涛, 肖国青, 房 燕, 张小安, 王铁山, 王释伟, 彭海波
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-04-22
  • 修回日期:  2005-07-04
  • 刊出日期:  2006-01-05

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

  • 1. (1)兰州大学物理学院,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (3)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000;中国科学院研究生院,北京 100039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10405025,10475035)资助的课题.

摘要: 报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.

English Abstract

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