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高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

彭海波 王铁山 韩运成 丁大杰 徐 鹤 程 锐 赵永涛 王瑜玉

高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

彭海波, 王铁山, 韩运成, 丁大杰, 徐 鹤, 程 锐, 赵永涛, 王瑜玉
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-12
  • 修回日期:  2007-10-19
  • 刊出日期:  2008-02-05

高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

  • 1. (1)兰州大学核科学与技术学院,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10475035)资助的课题.

摘要: 不同电荷态低速离子(Arq+,Pbq+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应.

English Abstract

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