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窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

张福甲 朱 博 桂永胜 仇志军 周文政 姚 炜 郭少令 褚君浩

窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

张福甲, 朱 博, 桂永胜, 仇志军, 周文政, 姚 炜, 郭少令, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-08
  • 修回日期:  2005-10-20
  • 刊出日期:  2006-01-05

窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡

  • 1. (1)兰州大学物理系,兰州 730000; (2)兰州大学物理系,兰州 730000;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
    基金项目: 

    国家重点基础研究项目(批准号:2001GB309506)和国家自然科学基金(批准号:60221502,10374094)资助的课题.

摘要: 通过对调制掺杂的n型Hg0.82Cd0.16Mn0.02Te/Hg0.3Cd0.7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研究,发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化.从对拍频的分析中,可以将依赖于栅压的Rashba自旋-轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来.

English Abstract

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