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掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

邓 宏 韦 敏 陈金菊 郝 昕 税正伟 唐 斌

掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

邓 宏, 韦 敏, 陈金菊, 郝 昕, 税正伟, 唐 斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-09
  • 修回日期:  2006-12-11
  • 刊出日期:  2007-09-20

掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

  • 1. (1)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054; (2)西南石油大学理学院,成都 610500; (3)西南石油大学理学院,成都 610500;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:60390073),四川省应用基础研究项目(批准号:JY0290681),预研基金(批准号:ZJ0508)资助的课题.

摘要: 采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373nm,375nm,389nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343eV ,束缚激子结合能为0.156eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射

English Abstract

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