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SiC纳米杆的弛豫性能研究

龙述尧 秦金旗 田建辉 韩 旭 刘桂荣

SiC纳米杆的弛豫性能研究

龙述尧, 秦金旗, 田建辉, 韩 旭, 刘桂荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-05-24
  • 修回日期:  2006-06-19
  • 刊出日期:  2007-01-26

SiC纳米杆的弛豫性能研究

  • 1. (1)湖南大学力学与航空航天学院,长沙 410082; (2)湖南大学汽车车身先进设计制造国家重点实验室,长沙 410082
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10372031)资助的课题.

摘要: 采用Tersoff势对SiC驰豫性能进行了分子动力学模拟.模拟了SiC在驰豫过程中的动态平衡变化过程,研究了表面效应和小尺寸效应对原子位置,原子能量分布的影响.模拟结果表明,SiC纳米杆受表面效应和小尺寸效应的影响很大,在不加外载和约束的情况下,出现了不同于宏观SiC杆的弯扭屈伸现象,最终形成了带有一定扭转弯曲量、总能量达到最低的稳定状态.

English Abstract

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