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同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能

李荣斌

同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能

李荣斌
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-02-19
  • 修回日期:  2008-07-10
  • 刊出日期:  2009-02-20

同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能

  • 1. 上海电机学院材料成型与控制工程系,上海 200245
    基金项目: 

    上海市教委科研创新项目(批准号:09YZ482)和上海市重点学科资助的课题.

摘要: 采用化学气相沉积(CVD)技术,以高温高压(HTHP)合成的(100)金刚石和p型(100)Si为衬底制备了硫掺杂和硼-硫共掺杂金刚石薄膜,利用原子力显微镜(AFM)、扫描隧道显微镜(STM)及隧道电流谱(CITS)等手段分析同质和异质外延CVD掺杂金刚石薄膜的结构和性能.结果表明:异Si衬底上CVD金刚石的形核密度低,薄膜表面比较粗糙,粗糙度达到18.5nm;同质HTHP金刚石衬底上CVD金刚石薄膜晶粒尺寸约为10—50nm,表面平整,表面粗糙度为1.8nm.拉曼测试和电阻测量的结果显示,在HTHP金刚

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