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Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究

崔冬萌 谢泉 陈茜 赵凤娟 李旭珍

Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究

崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 李旭珍
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-09
  • 修回日期:  2009-06-29
  • 刊出日期:  2010-03-15

Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究

  • 1. 贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵阳 550025
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002),科技部国际合作专项项目(批准号:2008DFA52210),贵州省信息产业厅项目(批准号:0831)和贵州大学研究生创新基金(批准号:2009010)资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3 (100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当晶格常数a取值为1093 nm时,正交相Ru2Si3处于稳定状态并且是具有带隙值

English Abstract

参考文献 (14)

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