搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

邢海英 范广涵 周天明

p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

邢海英, 范广涵, 周天明
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3963
  • PDF下载量:  1265
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-13
  • 修回日期:  2008-11-04
  • 刊出日期:  2009-05-20

p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金(批准号:06025083),广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071),粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回