搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究

胡海鑫 张振华 刘新海 邱明 丁开和

石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究

胡海鑫, 张振华, 刘新海, 邱明, 丁开和
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  5852
  • PDF下载量:  3992
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-17
  • 修回日期:  2008-09-27
  • 刊出日期:  2009-10-20

石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究

  • 1. 长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙 410076
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60771059)、湖南省自然科学基金(批准号:08JJ4002)、湖南省优秀博士论文基金(批准号:200526)、湖南省教育厅科技项目(批准号:08A005,05B023)和长沙理工大学重点学科建设项目资助的课题.

摘要: 在推导出的一般复式格子的π电子紧束缚能量色散关系的基础上,通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势,导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明:石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型(对称性及宽度)密切相关,所以通过控制几何构型,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回