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质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军 ,  唐本奇 ,  肖志刚 ,  刘敏波 ,  黄绍艳 ,  张勇

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质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军, 唐本奇, 肖志刚, 刘敏波, 黄绍艳, 张勇
物理学报. 2010, 59(6): 4136-4142.
doi: 10.7498/aps.59.4136.
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  • 摘要

    开展了电荷耦合器件（CCD）质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律，阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理，比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算，分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.

    作者及机构信息

    • (1)清华大学工程物理系，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084；西北核技术研究所，西安 710024; (2)西北核技术研究所，西安 710024

    参考文献

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    • 引用本文:
    shu
    Citation:
    shu
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-17
  • 修回日期:  2009-12-10
  • 刊出日期:  2010-06-15
物理学报. 2010, 59(6): 4136-4142.
doi: 10.7498/aps.59.4136.

质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

  • 1. (1)清华大学工程物理系，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084；西北核技术研究所，西安 710024; (2)西北核技术研究所，西安 710024
  • 收稿日期:  2009-09-17
  • 修回日期:  2009-12-10
  • 刊出日期:  2010-06-15

摘要: 开展了电荷耦合器件（CCD）质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律，阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理，比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算，分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.

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