质子辐照电荷耦合器件诱导电荷转移效率退化的实验分析

王祖军; 唐本奇; 肖志刚; 刘敏波; 黄绍艳; 张勇

doi:10.7498/aps.59.4136

摘要

开展了电荷耦合器件（CCD）质子辐照损伤的实验研究. 分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律，阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退化的损伤机理，比较了不同能量质子对电荷转移效率的损伤程度. 通过开展辐射粒子输运理论计算，分析了不同能量质子对电荷转移效率损伤差异的原因.

关键词:

The experiments on charge coupled devices (CCD) irradiated by protons were carried out. The charge transfer efficiency (CTE) of CCD was measured before and after proton radiation. The radiation damage mechanism of CTE degradation was analyzed. The CTE degradation induced by irradiation of protons of different energies was compared. The experimental results were explained by the theoretical analysis based on the calculation by radiation particle transport simulation software.

Keywords:

作者及机构信息

(1)清华大学工程物理系，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084；西北核技术研究所，西安 710024; (2)西北核技术研究所，西安 710024

Authors and contacts

(1)清华大学工程物理系，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京 100084；西北核技术研究所，西安 710024; (2)西北核技术研究所，西安 710024

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