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LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

杨利君 陈海川

LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

杨利君, 陈海川
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  • 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对LiGaX2(X=S, Se, Te)的能带结构、态密度、光学以及弹性性质进行了理论计算. 能带结构计算表明LiGaS2 的禁带宽度为4.146 eV, LiGaSe2 的禁带宽度为3.301 eV, LiGaTe2 的禁带宽度为2.306 eV; 其价带主要由Ga-4p 层电子和X- np 层电子的能态密度决定; 同时也对LiGaX<
    [1]

    Leal-Gonzalez J, Melibary S S, Smith A J 1990 Acta Crystallogr. Sect. C: Cryst. Struct. Commun. 46 2017

    [2]

    Isaenko L, Yelisseyev A, Lobanov S, Titov A, Petrov V, Zondy J J, Krinitsin P, Merkulov A, Vedenyapin V, Smirnova J 2003 Cryst. Res. Technol. 38 379

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    Petrov V, Yelisseev A, Isaenko L, Lobanov S, Titov A, Zondy J J 2004 Appl. Phys. B 78 543

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    Hoppe R 1965 Bull. Soc. Chim. Fr. 1115

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    Atuchin V V, Isaenko L I, Kesler V G, Lobanov S, Huang H, Lin Z S 2009 Solid State Commun. 149 572

    [8]

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    Ma T H, Yang C H, Xie Y, Sun L, Lv W Q, Wang R, Ren Y L 2010 Physica B 405 363

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    Kosobutsky A V, Basalaev Y M, Poplavnoi A S 2009 Phys. Stat. Sol. B 246 364

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    Reshak A H, Auluck S, Kityk I V, Douri Y A, Khenata R, Bouhemadou A 2009 Appl. Phys. A 94 315

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    Le L C, Ma X G, Tang H, Wang Y, Li X, Jiang J J 2010 Acta Phys. Sin. 59 1314(in Chinese) [乐伶聪、马新国、唐 豪、王 扬、李 翔、江建军 2010 物理学报 59 1314]

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    Li X Z, Xie Q, Chen Q, Zhao F J, Cui D M 2010 Acta Phys. Sin. 59 2016(in Chinese) [李旭珍、谢 泉、陈 茜、赵凤娟、崔冬萌 2010 物理学报 59 2016]

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    Huang Y X, Cao Q X, Li Z M, Li G F, Wang Y P, Wei Y G 2009 Acta Phys. Sin. 58 8002(in Chinese) [黄云霞、曹全喜、李智敏、李桂芳、王毓鹏、卫云鸽 2009 物理学报 58 8002]

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    [24]

    Voigt W 1928 Lehrbuch der Kristallphysik (Leipzig: Taubner)

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    Liu N N, Song R B, Sun H Y, Du D W 2008 Acta Phys. Sin.57 7145 (in Chinese) 刘娜娜、宋仁伯、孙翰英、杜大伟 2008 物理学报 57 7145]

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    Reuss A, Angew Z 1929 Math. Mech. 9 55

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    Rodrguez-Hernandez P, Hadj Haffida N, Munoz A 1999 Phys. Stat. Sol. B 211 23

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    Wu Z J, Hao X F, Liu X J, Meng J. 2007 Phys. Rev. B: Condens. Matter 75 054115

  • [1]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-11-04
  • 修回日期:  2010-04-21
  • 刊出日期:  2011-01-15

LiGaX2(X=S, Se, Te)的电子结构,光学和弹性性质的第一性原理计算

  • 1. (1)四川大学电子信息学院,成都 610064; (2)西华大学电气信息学院,成都 610039;四川大学电子信息学院,成都 610064

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对LiGaX2(X=S, Se, Te)的能带结构、态密度、光学以及弹性性质进行了理论计算. 能带结构计算表明LiGaS2 的禁带宽度为4.146 eV, LiGaSe2 的禁带宽度为3.301 eV, LiGaTe2 的禁带宽度为2.306 eV; 其价带主要由Ga-4p 层电子和X- np 层电子的能态密度决定; 同时也对LiGaX<

English Abstract

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