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非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

潘佳奇 朱承泉 李育仁 兰伟 苏庆 刘雪芹 谢二庆

非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

潘佳奇, 朱承泉, 李育仁, 兰伟, 苏庆, 刘雪芹, 谢二庆
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-01-07
  • 修回日期:  2011-01-26
  • 刊出日期:  2011-11-15

非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;
  • 2. 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50802037)资助的课题.

摘要: 考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9 ∶1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500 ℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52 eV,与CuAlO2相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500 ℃附近薄膜电导率达到2.4810-3 Scm-1.

English Abstract

参考文献 (39)

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