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L波段高阶模抑制型磁绝缘线振荡器研究

秦奋 王冬 陈代兵 文杰

L波段高阶模抑制型磁绝缘线振荡器研究

秦奋, 王冬, 陈代兵, 文杰
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-19
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

L波段高阶模抑制型磁绝缘线振荡器研究

  • 1. 中国工程物理研究院, 应用电子学研究所, 高功率微波技术重点实验室, 绵阳 621900
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划及中国工程物理研究院发展基金(批准号: 2010B0402060)资助的课题.

摘要: 根据磁绝缘线振荡器(magnetically insulated transmission line oscillator, MILO)中基模(TM00模)与临近高阶模(HEM11模)高频场分布的区别,采用破坏各腔之间HEM11模模谐振条件的方式抑制器件中高阶模产生的方法,提出了高阶模抑制型MILO. 运用三维全电磁粒子模拟软件对高阶模抑制型L波段MILO器件进行模拟研究, 数值模拟结果表面该方法能够抑制器件中HEM11模的产生.在此基础上对器件进行了对比性实验研究, 实验结果表明高阶模抑制型器件能够抑制HEM11模的产生,稳定工作在基模.

English Abstract

参考文献 (12)

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