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异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利 李伽 任宏亮 温浩 彭银生

异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利, 李伽, 任宏亮, 温浩, 彭银生
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  • 异质结界面电荷的存在改变了异质结的内建势, 这引起了界面势垒尖峰高度和形状的扰动, 从而使异质结界面载流子的输运产生相应的变化, 最终导致异质结双极晶体管 (HBT) 性能的改变. 基于热场发射-扩散模型, 对异质结界面电荷对InP/InGaAs HBT性能的改变做了研究, 得到结论是正极性的界面电荷有利于InP/InGaAs HBT的直流和高频特性的改善, 而负极性的界面电荷则使器件的直流和高频特性变差.
    • 基金项目: 浙江省自然科学基金(批准号: LY12F04003)和信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号: FMI2009-08)资助的课题.
    [1]

    Cui H L, Ren X M, Huang H 2012 Journal of Optoelectronics Laser 23 1067 (in Chinese) [崔海林, 任晓敏, 黄辉 2012 光电子·激光 23 1067]

    [2]

    Xu A H, Zou L, Chen X J, Qi M 2004 Chinese Journal of Rare Metals 28 516 (in Chinese) [徐安怀, 邹璐, 陈晓杰, 齐鸣 2004 稀有金属 28 516]

    [3]

    Jung H T, Wen S L, Chao Y T, Ye S S, Ma Y C, Jhou J C, Wu Y R, Ouyang J J 2012 Thin Solid Films 521 172

    [4]

    Liu H G, Jin Z, Su Y B, Wang X T, Chang H D, Zhou L, Liu X Y, Wu D X 2010 Chin. Phys. Lett. 27 058502

    [5]

    Chen T P, Lee C J, Chen L Y, Tsai T H, Liu Y J, Huang C C, Chen T Y, Cheng S Y, Liu W C 2009 Superlattices and Microstructures 46 715

    [6]

    Eladl S M 2008 Microelectronics Journal 39 1649

    [7]

    Gourab D, Sukla B 2012 Journal of semiconductors 33 054002

    [8]

    Fuente J G, Viktor K 2002 Solid-State Electronics 46 1273

    [9]

    Yang K, East J R, Haddad G I 1994 IEEE Trans Electron Devices 41 138

    [10]

    Zhou S L, Ren X M 2008 Journal of Semiconductors 29 741 (in Chinese) [周守利, 任晓敏 2008 半导体学报 29 741]

    [11]

    Zhou S L, Yang W C, Ren H L, Li J 2012 Acta Phys. Sin. 61 128501 (in Chinese) [周守利, 杨万春, 任宏亮, 李伽 2012 物理学报 61 128501]

    [12]

    Zhang Y R, Zhang B, Li Z J, Deng X C 2010 Chin. Phys. B 19 067102

    [13]

    Jain S C, Roulston D J 1991 Solid-State Electronics 34 453

    [14]

    Leeor K, Yoram S 1999 Surface Science Reports 37 1

    [15]

    Se W K, Kang S R, Seung H S, Kwan Y K, Gu C K, Lee S Y, Chang M C, So R P, Jun H P, Ki C C, Song K J, Kim D H, Dong M K 2008 Microelectronics Reliability 48 382

    [16]

    Kaipa P K, Amitava D 1998 Solid-State Electronics 42 1779

  • [1]

    Cui H L, Ren X M, Huang H 2012 Journal of Optoelectronics Laser 23 1067 (in Chinese) [崔海林, 任晓敏, 黄辉 2012 光电子·激光 23 1067]

    [2]

    Xu A H, Zou L, Chen X J, Qi M 2004 Chinese Journal of Rare Metals 28 516 (in Chinese) [徐安怀, 邹璐, 陈晓杰, 齐鸣 2004 稀有金属 28 516]

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    Jung H T, Wen S L, Chao Y T, Ye S S, Ma Y C, Jhou J C, Wu Y R, Ouyang J J 2012 Thin Solid Films 521 172

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    Liu H G, Jin Z, Su Y B, Wang X T, Chang H D, Zhou L, Liu X Y, Wu D X 2010 Chin. Phys. Lett. 27 058502

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    Eladl S M 2008 Microelectronics Journal 39 1649

    [7]

    Gourab D, Sukla B 2012 Journal of semiconductors 33 054002

    [8]

    Fuente J G, Viktor K 2002 Solid-State Electronics 46 1273

    [9]

    Yang K, East J R, Haddad G I 1994 IEEE Trans Electron Devices 41 138

    [10]

    Zhou S L, Ren X M 2008 Journal of Semiconductors 29 741 (in Chinese) [周守利, 任晓敏 2008 半导体学报 29 741]

    [11]

    Zhou S L, Yang W C, Ren H L, Li J 2012 Acta Phys. Sin. 61 128501 (in Chinese) [周守利, 杨万春, 任宏亮, 李伽 2012 物理学报 61 128501]

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    Zhang Y R, Zhang B, Li Z J, Deng X C 2010 Chin. Phys. B 19 067102

    [13]

    Jain S C, Roulston D J 1991 Solid-State Electronics 34 453

    [14]

    Leeor K, Yoram S 1999 Surface Science Reports 37 1

    [15]

    Se W K, Kang S R, Seung H S, Kwan Y K, Gu C K, Lee S Y, Chang M C, So R P, Jun H P, Ki C C, Song K J, Kim D H, Dong M K 2008 Microelectronics Reliability 48 382

    [16]

    Kaipa P K, Amitava D 1998 Solid-State Electronics 42 1779

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-25
  • 修回日期:  2013-05-22
  • 刊出日期:  2013-09-05

异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

  • 1. 浙江工业大学信息学院,  杭州 310023
    基金项目: 

    浙江省自然科学基金(批准号: LY12F04003)和信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号: FMI2009-08)资助的课题.

摘要: 异质结界面电荷的存在改变了异质结的内建势, 这引起了界面势垒尖峰高度和形状的扰动, 从而使异质结界面载流子的输运产生相应的变化, 最终导致异质结双极晶体管 (HBT) 性能的改变. 基于热场发射-扩散模型, 对异质结界面电荷对InP/InGaAs HBT性能的改变做了研究, 得到结论是正极性的界面电荷有利于InP/InGaAs HBT的直流和高频特性的改善, 而负极性的界面电荷则使器件的直流和高频特性变差.

English Abstract

参考文献 (16)

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