搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

李书平 王仁智

金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

李书平, 王仁智
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2545
  • PDF下载量:  940
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-16
  • 修回日期:  2004-01-12
  • 刊出日期:  2004-09-16

金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

  • 1. 厦门大学物理学系,厦门 361005
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:001CB610505)、国家自然科学基金(批准号:90206030, 60376015, 10134030)、福建省自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用LMTOASA能带计算方法,研究(Si2)3 (2Al) 6 (001),(Ge2)3 (2Al) 6 (001),(Ge2)3 (2Au) 6 (001)和(Ge2)3 (2Ag) 6 (001)超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理,结

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回