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ZnO压敏陶瓷的介电谱

成鹏飞 李盛涛 李建英

ZnO压敏陶瓷的介电谱

成鹏飞, 李盛涛, 李建英
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-01-20
  • 修回日期:  2012-03-16
  • 刊出日期:  2012-09-20

ZnO压敏陶瓷的介电谱

  • 1. 西安工程大学理学院, 西安 710048;
  • 2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 710049
    基金项目: 

    陕西省教育厅科研专项(批准号: 12JK0434)

    西安工程大学博士科研启动基金(批准号: BS0814)和国家自然科学基金(批准号: 50977071, 50972118)资助的课题.

摘要: 在-160℃-200℃温度范围内、0.1 Hz-0.1 MHz频率范围内测量了 ZnO压敏陶瓷的介电频谱, 发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程, 获得的Schottky势垒高度为0.77 eV. 基于背靠背双Schottky势垒模型, 提出当存在直流偏压时, 势垒高度将随直流偏压线性增大. 基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小, 进而计算出晶粒平均尺寸为6.8 μm, 该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内. 可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征, 还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.

English Abstract

参考文献 (11)

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