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利用同步辐射光电子能谱技术测量ZnO/PbTe异质结的能带带阶

蔡春锋 张兵坡 黎瑞锋 徐天宁 毕岗 吴惠桢 张文华 朱俊发

利用同步辐射光电子能谱技术测量ZnO/PbTe异质结的能带带阶

蔡春锋, 张兵坡, 黎瑞锋, 徐天宁, 毕岗, 吴惠桢, 张文华, 朱俊发
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  • 异质结结构界面的能带带阶是一个非常重要的参数,该参数的精确确定直接影响异质结的光电性质研究以及异质结在光电器件上的应用. 利用同步辐射光电子能谱技术测量了ZnO/PbTe异质结结构的能带带阶. 测量得到该异质结价带带阶为2.56 eV,导带带阶为0.49 eV,是一个典型的类型I 的能带排列. 利用变厚度扫描的测量方法发现,ZnO/PbTe界面存在两种键,分别是Pb–O键(低结合能) 和Pb–Te键(高结合能). 在ZnO/PbTe异质结界面的能带排列中导带带阶较小,而价带带阶较大,这一能带结构有利于PbTe中的激发电子输运到ZnO导电层中. 该类结构在新型太阳电池、中红外探测器、激光器等器件中具有潜在的应用价值.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61275108,11374259)资助的课题.
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    Levin E M, Heremans J P, Kanatzidis M G, Schmidt-Rohr K 2013 Phys. Rev. B 88 115211

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-03-11
  • 修回日期:  2014-04-15
  • 刊出日期:  2014-08-05

利用同步辐射光电子能谱技术测量ZnO/PbTe异质结的能带带阶

  • 1. 浙江大学城市学院信息与电气工程学院, 杭州 310015;
  • 2. 浙江大学物理系, 杭州 310058;
  • 3. 浙江工业大学之江学院理学系, 杭州 310024;
  • 4. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室, 合肥 230029
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61275108,11374259)资助的课题.

摘要: 异质结结构界面的能带带阶是一个非常重要的参数,该参数的精确确定直接影响异质结的光电性质研究以及异质结在光电器件上的应用. 利用同步辐射光电子能谱技术测量了ZnO/PbTe异质结结构的能带带阶. 测量得到该异质结价带带阶为2.56 eV,导带带阶为0.49 eV,是一个典型的类型I 的能带排列. 利用变厚度扫描的测量方法发现,ZnO/PbTe界面存在两种键,分别是Pb–O键(低结合能) 和Pb–Te键(高结合能). 在ZnO/PbTe异质结界面的能带排列中导带带阶较小,而价带带阶较大,这一能带结构有利于PbTe中的激发电子输运到ZnO导电层中. 该类结构在新型太阳电池、中红外探测器、激光器等器件中具有潜在的应用价值.

English Abstract

参考文献 (27)

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