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硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究

乔永红 王绍青

硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究

乔永红, 王绍青
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-06-21
  • 修回日期:  2005-03-21
  • 刊出日期:  2005-10-20

硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究

  • 1. 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 110016
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:TG2000067104)资助的课题.

摘要: 采用分子动力学方法模拟研究了硅晶体中的空位和间隙原子的结合过程. 研究中采用了Stilliger-Weber三体经验势描述原子间的相互作用, 系统分别在低温300K和高温1400K进行弛豫. 计算中发现空位和间隙原子倾向于通过方向结合,而方向上存在着势垒. 通过势垒值的计算, 对Tang和Zawadzki势垒计算值的差异进行了解释.

English Abstract

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