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利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

王淑芳 刘 震 赵嵩卿 周岳亮

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

王淑芳, 刘 震, 赵嵩卿, 周岳亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-03-24
  • 修回日期:  2005-07-13
  • 刊出日期:  2005-06-05

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

  • 1. (1)河北大学物理科学与技术学院,保定 071002; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB601005)资助的课题.

摘要: 利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO2薄膜. x射线衍射θ—2θ扫描和ω扫描结果表明,CeO2薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长,存在很强的平面外织构;极图和φ扫描显示它具有良好的平面内织构. Ni基片上织构的CeO2薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa2Cu3O7-x超导薄膜提供了很好的模板.

English Abstract

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