搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

氧压对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜晶格常数的影响及BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格的制备

尚杰 张辉 曹明刚 张鹏翔

氧压对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜晶格常数的影响及BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格的制备

尚杰, 张辉, 曹明刚, 张鹏翔
PDF
导出引用
  • 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,经一系列的优化实验成功地制备了BaTiO3(BT)和Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)单层膜.X射线衍射分析表明,在LaAlO3(001)单晶平衬底上生长的BT和BST薄膜都是沿[001]取向的近外延生长.且随着氧压在10-3—25 Pa范围内逐渐增大,BST薄膜的晶格常数与氧压之间近似满足Boltzmann函数关系.其次,在此优化条件下还
    [1]

    Cao W W, Lü T Q, Xie W G, Zhou J 2009 Chin. Phys. B 18 3054

    [2]

    Cui L, Lü T Q, Sun P N 2009 Chin. Phys. B 18 1658

    [3]

    Li J J, Yu J, Li J, Yang W M, Wu Y Y, Wang G B 2009 Acta Phys. Sin. 58 1246 (in Chinese) [李建军、于 军、李 佳、杨卫明、吴云翼、王耘波 2009 物理学报 58 1246]

    [4]

    Wang L H, Yu J, Wang Y B, Cao J X, Zhao S L 2008 Acta Phys. Sin. 57 1207 (in Chinese) [王龙海、于 军、王耘波、高俊雄、赵素玲 2008 物理学报 57 1207]

    [5]

    Aulika I, Pokorny J, Zauls V, Kundzins K, Rutkis M, Petzelt J 2008 Optical Materials 30 1017

    [6]

    Scarisoreanu N, Filipescu M, Ioachim A, Toacsan M I, Banciu M G, Nedelcu L, Dutu A, Buda M, Alexandru H V, Dinescu M 2007 Applied Surface Science 253 8254

    [7]

    Benoit G, Julie G, Emmanuel D, Pierre G, David W, Bernard A, Frédéric L, Roland P, Xavier G, Marc A 2007 Journal of the European Ceramic Society 27 3851

    [8]

    Scott J F, Annu 1998 Rev. Mater. Sci. 28 79

    [9]

    Takasu H 2000 J. Electroceram. 4 327

    [10]

    Cheng H F 1996 J. Appl. Phys. 79 7965

    [11]

    Lariviere G P, Frigerio J M, Rivory J, Abeles F 1992 Appl. Opt. 31 6509

    [12]

    Borgogno J P, Flory F, Roche P, Schmitt B, Albert G, Pelletier E, Macleod H A 1984 Appl. Opt. 23 3567

    [13]

    Ning Z Y, Jing M F, Xin Y, Ye C 2008 Thin Solid Film Materials and Preparation Technology (Beijing: Science Press) p108 (in Chinese) [宁兆元、江美福、辛 煜、叶 超 2008 固体薄膜材料与制备技术(北京:科学出版社) 第108页]

    [14]

    Wu H D, Barnes F S 1998 in: O. Auciello (Ed.), Integrated Ferroelectrics,Proceedings of the 10th International Symposium on Integrated Ferroelectrics,Monterey, U.S.A, March 1—4 22 291

    [15]

    Horwitz J S, Chang W, Carter A C, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Levy J, Hubert C 1998 in: O. Auciello (Ed.), Integrated Ferroelectrics, Proceedings of the 10th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, Monterey, U.S.A, March 1—4 22 279

    [16]

    Jain M, Majumder S B, Katiyar R S, Miranda F A, Van Keuls F W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 1911

    [17]

    Joshi P C, Cole M W 2000 Appl. Phys. Lett. 77 289

    [18]

    Kim W J, Chang W, Qadri S B, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Horwitz J S 2000 Appl. Phys. Lett. 76 1185

    [19]

    Hubert C, Levy J, Rivkin T V, Carlson C, Parilla P A, Perkins J D, Ginley D S 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2058

    [20]

    Kim W J, Wu H D, Chang W, Qadri S B, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Horwitz J S 2000 J. Appl. Phys. 88 5448

    [21]

    Navi N, Kim H, Horwitz J S, Wu H D, Qadri S B 2003 Appl. Phys. A 76 841

    [22]

    Ding Y P, Wu J S, Meng Z Y, Chan H L, Choy Z L 2002 Materials Chemistry and Physics 75 220

    [23]

    Park B H, Gim Y, Fan Y, Jia Q X, Lu P 2000 Appl.Phy.Lett. 77 2587

    [24]

    Carlson C M, Rivkin T V, Parilla P A, Perking J D, Ginley D B, Kozyerv A B, Oshadchy V N, Pavlov A S 2000 Appl.Phy.Lett. 76 1920

    [25]

    Lebedev O I, Hamet J F, Van Tendeloo G , Beaumont V , Raveau B 2001 J . Appl. Phys .90 5261

    [26]

    Schuller Y K 1980 Phys. Rev. B 24 1597

  • [1]

    Cao W W, Lü T Q, Xie W G, Zhou J 2009 Chin. Phys. B 18 3054

    [2]

    Cui L, Lü T Q, Sun P N 2009 Chin. Phys. B 18 1658

    [3]

    Li J J, Yu J, Li J, Yang W M, Wu Y Y, Wang G B 2009 Acta Phys. Sin. 58 1246 (in Chinese) [李建军、于 军、李 佳、杨卫明、吴云翼、王耘波 2009 物理学报 58 1246]

    [4]

    Wang L H, Yu J, Wang Y B, Cao J X, Zhao S L 2008 Acta Phys. Sin. 57 1207 (in Chinese) [王龙海、于 军、王耘波、高俊雄、赵素玲 2008 物理学报 57 1207]

    [5]

    Aulika I, Pokorny J, Zauls V, Kundzins K, Rutkis M, Petzelt J 2008 Optical Materials 30 1017

    [6]

    Scarisoreanu N, Filipescu M, Ioachim A, Toacsan M I, Banciu M G, Nedelcu L, Dutu A, Buda M, Alexandru H V, Dinescu M 2007 Applied Surface Science 253 8254

    [7]

    Benoit G, Julie G, Emmanuel D, Pierre G, David W, Bernard A, Frédéric L, Roland P, Xavier G, Marc A 2007 Journal of the European Ceramic Society 27 3851

    [8]

    Scott J F, Annu 1998 Rev. Mater. Sci. 28 79

    [9]

    Takasu H 2000 J. Electroceram. 4 327

    [10]

    Cheng H F 1996 J. Appl. Phys. 79 7965

    [11]

    Lariviere G P, Frigerio J M, Rivory J, Abeles F 1992 Appl. Opt. 31 6509

    [12]

    Borgogno J P, Flory F, Roche P, Schmitt B, Albert G, Pelletier E, Macleod H A 1984 Appl. Opt. 23 3567

    [13]

    Ning Z Y, Jing M F, Xin Y, Ye C 2008 Thin Solid Film Materials and Preparation Technology (Beijing: Science Press) p108 (in Chinese) [宁兆元、江美福、辛 煜、叶 超 2008 固体薄膜材料与制备技术(北京:科学出版社) 第108页]

    [14]

    Wu H D, Barnes F S 1998 in: O. Auciello (Ed.), Integrated Ferroelectrics,Proceedings of the 10th International Symposium on Integrated Ferroelectrics,Monterey, U.S.A, March 1—4 22 291

    [15]

    Horwitz J S, Chang W, Carter A C, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Levy J, Hubert C 1998 in: O. Auciello (Ed.), Integrated Ferroelectrics, Proceedings of the 10th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, Monterey, U.S.A, March 1—4 22 279

    [16]

    Jain M, Majumder S B, Katiyar R S, Miranda F A, Van Keuls F W 2003 Appl. Phys. Lett. 82 1911

    [17]

    Joshi P C, Cole M W 2000 Appl. Phys. Lett. 77 289

    [18]

    Kim W J, Chang W, Qadri S B, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Horwitz J S 2000 Appl. Phys. Lett. 76 1185

    [19]

    Hubert C, Levy J, Rivkin T V, Carlson C, Parilla P A, Perkins J D, Ginley D S 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2058

    [20]

    Kim W J, Wu H D, Chang W, Qadri S B, Pond J M, Kirchoefer S W, Chrisey D B, Horwitz J S 2000 J. Appl. Phys. 88 5448

    [21]

    Navi N, Kim H, Horwitz J S, Wu H D, Qadri S B 2003 Appl. Phys. A 76 841

    [22]

    Ding Y P, Wu J S, Meng Z Y, Chan H L, Choy Z L 2002 Materials Chemistry and Physics 75 220

    [23]

    Park B H, Gim Y, Fan Y, Jia Q X, Lu P 2000 Appl.Phy.Lett. 77 2587

    [24]

    Carlson C M, Rivkin T V, Parilla P A, Perking J D, Ginley D B, Kozyerv A B, Oshadchy V N, Pavlov A S 2000 Appl.Phy.Lett. 76 1920

    [25]

    Lebedev O I, Hamet J F, Van Tendeloo G , Beaumont V , Raveau B 2001 J . Appl. Phys .90 5261

    [26]

    Schuller Y K 1980 Phys. Rev. B 24 1597

  • [1] 刘 婷, 谈松林, 张 辉, 秦 毅, 张鹏翔. 氧压对SrTiO3和SrNb0.2Ti0.8O3薄膜晶格参数的影响及激光感生热电电压效应. 物理学报, 2008, 57(7): 4424-4427. doi: 10.7498/aps.57.4424
    [2] 谈松林, 张 辉, 崔文东, 袁 圆, 张鹏翔. Ag掺杂的La0.67Pb0.33MnO3薄膜中激光感生热电电压效应. 物理学报, 2006, 55(8): 4226-4231. doi: 10.7498/aps.55.4226
    [3] 蒋最敏, 熊 飞, 张 辉, 李洪山, 张鹏翔. 退火氧压对YBa2Cu3O7-x薄膜中的激光感生热电电压效应的影响. 物理学报, 2008, 57(8): 5237-5243. doi: 10.7498/aps.57.5237
    [4] 苏少坚, 成步文, 薛春来, 张东亮, 张广泽, 王启明. GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离. 物理学报, 2012, 61(17): 176104. doi: 10.7498/aps.61.176104
    [5] 穆武第, 程海峰, 陈朝辉, 唐耿平, 吴志桥. 粗糙界面对Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值影响的理论分析. 物理学报, 2009, 58(2): 1212-1218. doi: 10.7498/aps.58.1212
    [6] 郑树文, 范广涵, 章勇, 何苗, 李述体, 张涛. Be和Ca掺杂纤锌矿ZnO的晶格常数与能带特性研究 . 物理学报, 2012, 61(22): 227101. doi: 10.7498/aps.61.227101
    [7] 王 君, 吴志国, 闫鹏勋, 夏天东, 魏智强. 纳米镍粉体的晶格膨胀. 物理学报, 2007, 56(2): 1004-1008. doi: 10.7498/aps.56.1004
    [8] 李世帅, 冯秀鹏, 黄金昭, 刘春彦, 张仲, 陶冶微. Zn1-x-yNaxCoyO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征. 物理学报, 2011, 60(5): 057105. doi: 10.7498/aps.60.057105
    [9] 徐韵, 李云鹏, 金璐, 马向阳, 杨德仁. 脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射. 物理学报, 2013, 62(8): 084207. doi: 10.7498/aps.62.084207
    [10] 冯现徉, 逯瑶, 蒋雷, 张国莲, 张昌文, 王培吉. In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究. 物理学报, 2012, 61(5): 057101. doi: 10.7498/aps.61.057101
    [11] 王伟, 唐佳伟, 王乐天, 陈小兵. 脉冲激光沉积法制备高温压电薄膜0.20 BiInO3-0.80PbTiO3(已撤稿). 物理学报, 2013, 62(23): 237701. doi: 10.7498/aps.62.237701
    [12] 顾培夫, 陈海星, 秦小芸, 刘 旭. 基于薄膜光子晶体超晶格理论的偏振带通滤波器. 物理学报, 2005, 54(2): 773-776. doi: 10.7498/aps.54.773
    [13] 邓成良, 邵明珠, 罗诗裕. 带电粒子同超晶格的相互作用与系统的混沌行为. 物理学报, 2006, 55(5): 2422-2426. doi: 10.7498/aps.55.2422
    [14] 李志华, 王文新, 刘林生, 蒋中伟, 高汉超, 周均铭. As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响. 物理学报, 2007, 56(3): 1785-1789. doi: 10.7498/aps.56.1785
    [15] 蒋雷, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 逯瑶, 张国莲. 超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2011, 60(9): 093101. doi: 10.7498/aps.60.093101
    [16] 罗晓华, 何为, 吴木营, 罗诗裕. 准周期激励与应变超晶格的动力学稳定性. 物理学报, 2013, 62(24): 247301. doi: 10.7498/aps.62.247301
    [17] 李柱松, 朱泰山. 超晶格和层状结构传热特性的连续模型及其在能源材料设计中的应用. 物理学报, 2016, 65(11): 116802. doi: 10.7498/aps.65.116802
    [18] 张启义, 田强. 超晶格中电场单极畴与偶极畴的形成和输运. 物理学报, 2002, 51(8): 1804-1807. doi: 10.7498/aps.51.1804
    [19] 罗晓华. Schrödinger方程的一般解与超晶格多量子阱的电子跃迁. 物理学报, 2014, 63(1): 017302. doi: 10.7498/aps.63.017302
    [20] 王长, 曹俊诚. 太赫兹场和倾斜磁场对超晶格电子动力学特性调控规律研究. 物理学报, 2015, 64(9): 090502. doi: 10.7498/aps.64.090502
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4341
  • PDF下载量:  876
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-16
  • 修回日期:  2010-04-28
  • 刊出日期:  2011-01-15

氧压对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜晶格常数的影响及BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格的制备

  • 1. 昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明 650093

摘要: 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,经一系列的优化实验成功地制备了BaTiO3(BT)和Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)单层膜.X射线衍射分析表明,在LaAlO3(001)单晶平衬底上生长的BT和BST薄膜都是沿[001]取向的近外延生长.且随着氧压在10-3—25 Pa范围内逐渐增大,BST薄膜的晶格常数与氧压之间近似满足Boltzmann函数关系.其次,在此优化条件下还

English Abstract

参考文献 (26)

目录

    /

    返回文章
    返回