搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性

黄伟其 刘世荣

激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性

黄伟其, 刘世荣
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2709
  • PDF下载量:  732
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-04-14
  • 修回日期:  2004-07-16
  • 刊出日期:  2005-03-01

激光照射下的低温氧化生成锗的纳米结构及其特性

  • 1. (1)贵州大学物理系,光电子实验室,贵阳市 550026; (2)中国科学院地化所电镜室,贵阳市 550003
    基金项目: 

    贵州省自然科学基金(批准号:00193029)资助的课题.

摘要: 在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用HPE同步测量样品的纳米结构. 用Raman光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰. 用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回