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锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

杨红官 施毅 闾锦 濮林 张荣 郑有

锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

杨红官, 施毅, 闾锦, 濮林, 张荣, 郑有
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-24
  • 修回日期:  2003-07-22
  • 刊出日期:  2004-02-05

锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G001CB309)和国家自然科学基金(批准号:90101021,60236010,60225014)资助的课题.

摘要: 对p沟道锗/硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟.研究结果表明:由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗/硅异质纳米结构存储器相比,当前器件的保留时间分别提高到108和105s以上,同时器件的擦写时间特性基本保持不变.这种存储器结构单元有效地解决了快速擦写编程和长久存储之间的矛盾,极大地提高了器件的存储性能.

English Abstract

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