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p型纳米硅与a-Si:H不锈钢底衬nip太阳电池

夏朝凤 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 郝会颖 孔光临 胡志华

p型纳米硅与a-Si:H不锈钢底衬nip太阳电池

夏朝凤, 廖显伯, 刁宏伟, 曾湘波, 郝会颖, 孔光临, 胡志华
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-11
  • 修回日期:  2004-11-18
  • 刊出日期:  2005-03-05

p型纳米硅与a-Si:H不锈钢底衬nip太阳电池

  • 1. (1)云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明 650092; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京 100083;云南师范大学能源与环境科学学院,云南师范大学太阳能研究所,昆明 650092
    基金项目: 

    国家重大基础研究计划(973)项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路 电压和填充因子分别达到090V和070的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV-VIS透射谱和 微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明 确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应.

English Abstract

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