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HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

孙 涛 陈兴国 胡晓宁 李言谨

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

孙 涛, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-22
  • 修回日期:  2004-12-09
  • 刊出日期:  2005-07-07

HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心,上海 200083

摘要: 在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0217)制备了单层ZnS钝化和双层 (CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1/f噪声进行了测试,烘烤 前发现,ZnS钝化的器件在反偏较大时具有较大的表面隧道电流,而这种表面漏电流是ZnS钝 化器件具有较大1/f噪声电流的原因,通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术(recipr ocal space mapping,RSM)研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层 ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是ZnS钝化器件具有较大表面漏电流 和1/f噪声的原因. 经过高温烘烤后,ZnS钝化的器件暗电流和1/f噪声增加,而双 层钝化器件经过高温烘烤后性能提高. RSM的研究表明,高温烘烤后ZnS钝化的HgCdTe外延层 产生大量缺陷,这些缺陷正是单层钝化器件表面漏电流和1/f噪声电流增加的原因.

English Abstract

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