-
对n/p两种沟道类型、不同沟道尺寸MOSFET的1/f噪声特性进行了实验和理论研究.实验结 果表明,虽然nMOSFET的1/f噪声幅值比pMOSFET大一个数量级,但是其噪声幅值均表现出和 有效栅压的平方成反比、和漏压的平方成正比、和沟道面积成反比的规律.基于该实验结果 ,认为MOSFET的1/f噪声产生机理为位于半导体_氧化物界面附近几个纳米范围内的氧化层陷 阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致 沟道载流子迁移率的涨落.在这两种涨落机理的基础上,引入了氧化层陷阱的分布特征及其 与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式,建立了MOSFET l/f噪声的统一模型.实验结果 和本文模型符合良好.
引用本文: |
Citation: |
计量
- 文章访问数: 4187
- PDF下载量: 650
- 被引次数: 0