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4H-SiC MOSFET的温度特性研究

徐昌发 杨银堂 刘莉

4H-SiC MOSFET的温度特性研究

徐昌发, 杨银堂, 刘莉
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-27
  • 修回日期:  2001-09-12
  • 刊出日期:  2005-05-30

4H-SiC MOSFET的温度特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 2 3)

    教育部跨世纪优秀人才基金

    国防科技预研基金资助的课题~~

摘要: 对4HSiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究,总结了器件的结构参数对特性的影响,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系,模拟结果表明4HSiCMOSFET具有优异的温度特性,在800K下可以正常工作

English Abstract

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