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射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

林洪峰 谢二庆 马紫微 张 军 彭爱华 贺德衍

射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-18
  • 修回日期:  2004-04-13
  • 刊出日期:  2004-08-16

射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60176002)资助的课题.

摘要: 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,低温制备的SiC薄膜为非晶相,而在高温下(>800℃),薄膜呈现4HSiC和3CSiC结晶相.IR谱显示,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收.此外,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究,并研究了样品的场发射特性.

English Abstract

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