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AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

江洋 罗毅 席光义 汪莱 李洪涛 赵维 韩彦军

AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

江洋, 罗毅, 席光义, 汪莱, 李洪涛, 赵维, 韩彦军
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-12-25
  • 修回日期:  2009-01-13
  • 刊出日期:  2009-10-20

AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响

  • 1. 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室(筹),集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)、国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806, 2006CB921106)、国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A105)和北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题.

摘要: 研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台阶数目增多而发生蓝移,这些变化都反映出GaN中残余张应力的减小.此外,原子力显微镜测试表明样品表面起伏和粗糙度也都随着插入层的引入和台阶数目的增多得到了明显的改善.

English Abstract

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