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在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

刘仕锋 尤力平 秦国刚 戴 伦 傅竹西 张纪才

在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

刘仕锋, 尤力平, 秦国刚, 戴 伦, 傅竹西, 张纪才
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-01-14
  • 修回日期:  2005-02-21
  • 刊出日期:  2005-09-20

在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

  • 1. (1)北京大学物理学院,北京 100871; (2)北京大学物理学院,北京 100871;北京大学电子显微镜实验室,北京 100871; (3)北京大学物理学院,北京 100871;人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871; (4)中国科学技术大学物理系,合肥 230027; (5)中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10374004, 90201037, 50172001)、集成光电子国家重点实验室和国家纳米科学中心资助的课题.

摘要: 在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.

English Abstract

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