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斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究

林志宇 张进成 许晟瑞 吕玲 刘子扬 马俊彩 薛晓咏 薛军帅 郝跃

斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究

林志宇, 张进成, 许晟瑞, 吕玲, 刘子扬, 马俊彩, 薛晓咏, 薛军帅, 郝跃
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  • 利用MOCVD技术在斜切角度为0.3的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂 GaN 薄膜, 并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析. 研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8 m附近大量湮灭, 同时位错扎堆出现.基于上述现象, 提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制, 解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2011CBA00600); 国家科技重大专项(批准号: 2008ZX01002-002); 国家自然科学基金重大项目(批准号: 60890191)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: K50511250002).
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    Xu S R, Hao Y, Zhang J C, Zhou X W, Cao Y R, Ou X X, Mao W, Du D C, Wang H 2010 Chin. Phys. B 19 107204

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    Morkoc H, Strite S, Gao G B, Lin M E, Sverdlov B, Burns M 1994 J. Appl. Phys. 76 1363

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    Nakamura S 1998 Science 281 956

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    Shen X Q, Matsuhata H, Okumura H 2005 Appl. Phys. Lett. 86 021912

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-23
  • 修回日期:  2012-03-20
  • 刊出日期:  2012-09-20

斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2011CBA00600)

    国家科技重大专项(批准号: 2008ZX01002-002)

    国家自然科学基金重大项目(批准号: 60890191)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: K50511250002).

摘要: 利用MOCVD技术在斜切角度为0.3的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂 GaN 薄膜, 并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析. 研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8 m附近大量湮灭, 同时位错扎堆出现.基于上述现象, 提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制, 解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.

English Abstract

参考文献 (14)

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