搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

熊传兵 江风益 方文卿 王 立 莫春兰

硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

熊传兵, 江风益, 方文卿, 王 立, 莫春兰
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3727
  • PDF下载量:  1636
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-18
  • 修回日期:  2007-10-24
  • 刊出日期:  2008-05-28

硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

  • 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌 330096
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2005AA311010,2003AA302160)和信息产业部电子发展基金(批准号:(2004)125,(2004)479)资助的课题.

摘要: 利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上. 研究结果表明, 转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大. 去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变. 将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回