搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

韩 茹 杨银堂 柴常春

n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

韩 茹, 杨银堂, 柴常春
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3891
  • PDF下载量:  1192
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-06
  • 修回日期:  2007-09-27
  • 刊出日期:  2008-05-28

n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家部委预研资助项目(批准号:51308030201)资助的课题.

摘要: 研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱. 理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小. 5145nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明,k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条,4H-SiC中有二条;高频6303及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关. 最后,利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回