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n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

韩茹 樊晓桠 杨银堂

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

韩茹, 樊晓桠, 杨银堂
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  • 测量了采用离子注入法得到掺N的n-SiC晶体从100—450 K的拉曼光谱. 研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应. 实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小. 重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关. 电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增
    [1]

    [1]Chattopadhyay S N, Pandey P, Overton C B, Krishnamoorthy S, Leong S K 2008 J. Semicond. Technol. Sci. 8 251

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    [2]Ivanov P A, Levinshtein M E, Palmour J W, Das M, Hull B 2006 Solid State Electron. 50 1368

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    [8]Li W S, Shen Z X, Feng Z C, Chua S J 2000 J. Appl. Phys. 87 3332

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    ]Michael B, Alexander M G, Andreas J H, Rainer H, Robert W S 2009 J. Raman Spectrosc. 40 1867

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    ]Chafai M, Jaouhari A, Torres A, Anton R, Martin E, Jimenez J, Mitchel W C 2001 J. Appl. Phys. 90 5211

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    ]Burton J C, Sun L, Pophristic M, Li J, Long F H, Feng Z C, Ferguson I 1998 J. Appl. Phys. 84 6268

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    ]Kong J F, Ye H B, Zhang D M, Shen W Z, Zhao J L, Li X M 2007 J. Phys. D 40 7471

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    ]Nakashima S, Harima H 2004 J. Appl. Phys. 95 3541

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    ]Nakashima S, Harima H, Ohtani N, Okumura H 2004 J. Appl. Phys. 95 3547

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    ]Burton J C, Long F H 1999 J. Appl. Phys. 86 2073

    [18]

    ]Egilsson T, Ivanov I G, Henry A, Janzén E 2002 J. Appl. Phys. 91 2028

    [19]

    ]Pernot J, Zawadzki W, Contreras S, Robert J L, Neyret E, Di Cioccio L 2001 J. Appl. Phys. 90 1869

    [20]

    ]Siegle H, Kaczmarczyk G, Filippidis L, Litvinchuk P, Hoffmann A, Thomsen C 1997 Phys. Rev. B 55 7000

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    ]Siegle H, Kaczmarczyk G, Filippidis L, Litvinchuk P, Hoffmann A, Thomsen C 1997 Phys. Rev. B 55 7000

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-01
  • 修回日期:  2010-01-18
  • 刊出日期:  2010-03-05

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071; (2)西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安 710072

摘要: 测量了采用离子注入法得到掺N的n-SiC晶体从100—450 K的拉曼光谱. 研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应. 实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小. 重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关. 电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增

English Abstract

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