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n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

杨银堂 韩茹 樊晓桠

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

杨银堂, 韩茹, 樊晓桠
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-09-01
  • 修回日期:  2010-01-18
  • 刊出日期:  2010-06-15

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071; (2)西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安 710072

摘要: 测量了采用离子注入法得到掺N的n-SiC晶体从100—450 K的拉曼光谱. 研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应. 实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小. 重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关. 电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增

English Abstract

参考文献 (20)

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