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Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

程 凯 丁志博 姚淑德 王 坤

Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

程 凯, 丁志博, 姚淑德, 王 坤
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-06
  • 修回日期:  2005-12-27
  • 刊出日期:  2006-03-05

Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

  • 1. (1)MCP/ART,IMEC,Kapeldreef 75,B-3001 Leuven,Belgium; (2)北京大学物理学院,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10375004和10575007),中国比利时科技合作项目(批准号:BIL04/05)资助的课题.

摘要: 利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析. 实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为χmin=1.54%,已达到完美晶体的结晶品质(χmin=1%—2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0.31903nm,cepi=0.51837nm,基本达到G

English Abstract

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