搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

戴佳钰 张栋文 袁建民

Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

戴佳钰, 张栋文, 袁建民
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3599
  • PDF下载量:  1476
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-06
  • 修回日期:  2005-12-30
  • 刊出日期:  2006-11-20

Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

  • 1. 国防科学技术大学物理系,长沙 410073
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10474138)和国家杰出青年科学基金(批准号:10025416)资助的课题.

摘要: 基于第一性原理的自洽场密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),利用缀加平面波加局域轨道(APW+lo)近似方法,建立了五层层晶超原胞模型,模拟了GaAs(110)表面结构和单个Xe原子在其表面的吸附.利用牛顿动力学方法,对GaAs(110)表面原子构形的弛豫和Xe原子在GaAs(110)表面的吸附进行了计算.从三种不同的初始构形出发,即Xe原子分别在Ga原子的顶位,As原子的顶位以及桥位,都发现Xe原子位于桥位时体系能量最低.由此,认为Xe原子在GaAs(110)表面的吸附位置在桥位,并且发现吸附Xe原子后GaAs(110)表面有趋向于理想表面的趋势,表面重构现象趋于消失,表面原子间键长有一定的恢复,这与理论预言相符合.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回