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填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

周智辉 王 浩 杨昌平 K. Iwasa M. Kohgi

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

周智辉, 王 浩, 杨昌平, K. Iwasa, M. Kohgi
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-16
  • 修回日期:  2006-08-07
  • 刊出日期:  2006-12-20

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

  • 1. (1)湖北大学物理学与电子技术学院,武汉 430062; (2)湖北大学物理学与电子技术学院,武汉 430062;日本东北大学物理系,日本仙台 981-0935; (3)日本东北大学物理系,日本仙台 981-0935

摘要: CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.

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