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La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

段 苹 陈正豪 戴守愚 周岳亮 吕惠宾

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

段 苹, 陈正豪, 戴守愚, 周岳亮, 吕惠宾
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-20
  • 修回日期:  2005-08-08
  • 刊出日期:  2006-03-20

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

  • 1. (1)天津大学应用物理系,天津 300072;中国科学院物理研究所,北京 100080; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080

摘要: 一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0 .2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示 薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CM R)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体 系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.

English Abstract

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