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Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

王 华 任鸣放

Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

王 华, 任鸣放
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-03
  • 修回日期:  2005-05-30
  • 刊出日期:  2006-03-20

Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

  • 1. 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系,桂林 541004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50262001)和广西壮族自治区自然科学基金(批准号: 0236062)资 助的课题.

摘要: 在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上 ,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.

English Abstract

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