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中高能正电子被CO,HCl,NH3及SiH4散射的总截面

施德恒 孙金锋 朱遵略 刘玉芳

中高能正电子被CO,HCl,NH3及SiH4散射的总截面

施德恒, 孙金锋, 朱遵略, 刘玉芳
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-12
  • 修回日期:  2005-11-12
  • 刊出日期:  2006-05-20

中高能正电子被CO,HCl,NH3及SiH4散射的总截面

  • 1. 河南师范大学物理与信息工程学院,新乡 453007
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10574039)资助的课题.

摘要: 利用可加性规则,使用Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势(由静电势、极化势及吸收势三部分组成),在30—3000eV内对正电子被CO,HCl,NH3和SiH4散射的总截面进行了计算,且将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果好很多.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度.

English Abstract

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