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节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析

王 颖 章岳光 刘 旭 陈为兰 厉以宇

节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析

王 颖, 章岳光, 刘 旭, 陈为兰, 厉以宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-05
  • 修回日期:  2007-04-10
  • 刊出日期:  2007-11-20

节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    固体激光技术国家级重点实验室基金资助的课题.

摘要: 运用时域有限差分(FDTD)方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型,分析了节瘤的深度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响。结果表明:节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作用,其内部峰值场强是入射光的6倍,大而浅节瘤缺陷对倾斜入射p偏振态的激光具有最高的加强效应.

English Abstract

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